пятница, 8 февраля 2013 г.

смещено окно имплантации

ИОФ содержит единственную узкую линию, отвечающую рекомбинации экситона

исследованы их оптические характеристики (рис.). Спектр электролюминесценции

физики твердого тела (г. Берлин) изготовлены лабораторные образцы ИОФ и

На основе выращенных структур в рамках сотрудничества с Институтом

фактор Пурселла составляет FP≈2.5.

излучателя ~30% при использовании оксидной апертуры с диаметром ~1 мкм,

Q≈120 и задает параметр внешней квантовой эффективности однофотонного

обеспечивает добротность микрорезонатора для фундаментальной моды на уровне

с числом периодов 12 и 4 для плотного и выходного зеркала, соответственно, что

электролюминесценции ИОФ и схема интерферометра НВТ (д).

микроскопии (б,в), корреляционная диаграмма излучения ИОФ (г), спектр

Рис. Схема ИОФ (а), изображения ИОФ, полученные методом сканирующей электронной

микрорезонаторных структур с InAs квантовыми точками малой плотности (~108÷109 см-2 ) для излучателей одиночных фотонов (ИОФ) с токовой накачкой. Структуры содержат легированные брэгговские зеркала на основе GaAs/Al0.9Ga0.1As

На установке "Riber-C21" проведен цикл экспериментов по росту

Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5

В.А.Гайслер, А.И.Торопов, А.К.Бакаров, А.К.Калагин, И.А.Деребезов

ГОД: | | | | | | | | |

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА Сибирского отделения РАН

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ им. А.В.РЖАНОВА СО РАН

Комментариев нет:

Отправить комментарий